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Amplificador De Potencia De Banda S De 100 - 115ghz Psat 16 DBm Amplificador De Radiofrecuencia Bidireccional

Local de origem: China
Marca: SWT
Número do modelo: SWT - 1041241015 - 0808 - E1
Preço:
Detalhes do Produto
Nome:
Amplificador De Potencia De Radiofrecuencia De 100 - 115ghz
Frequência de funcionamento:
100 - 115ghz
Psat Output Power:
16dbm
Ganho:
10db
Entrada Vswr:
Planeza do Ganho de Potência:
Sinais Spurious:
Sinais harmônicos:
Temperatura de funcionamento:
0 A 45 ° C
Aplicação:
Pruebas EMC
Pacote "Transportes":
Cartones
Especificação:
482 * 550 * 223 Mm
Condições de Pagamento e Envio
Quantidade mínima de encomenda
1/pcs
Detalhes da embalagem
Embalagem padrão
Tempo de entrega
5-8 dias úteis
Condições de pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade de fornecimento
100 pcs por mês
Descrição do produto

Amplificador De Potencia De Banda S 100 - 115ghz Psat 16dbm Amplificador De Radiofrecuencia; Nbsp; Amplificador De Potencia

 

DExplicación

Modelo Y; Nbsp;SWT- 1041241015 - 0808 - E1; Nbsp;Es Un Amplificador De Potencia De Banda F Con Una Ganancia Típica De Señal Pequeña De 10 Db, Nominal P1db& Amp; Nbsp; En El Rango De Frecuencia De 100 A 115 GHz Es De 15 Dbm. La Fuente De Alimentación De Corriente Continua Del Amplificador Requiere + 8vDC/ 250ma. La Configuración Del Puerto De Entrada Y Salida Proporciona Una Estructura Incorporada Con Guía De Onda WR - 08 Y Brida Anti - Elevación Ug - 387 / U - M. Otras Configuraciones De Puertos Están Disponibles En Diferentes Modelos.

 

 

Características: & Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp;Aplicaciones:

·& Amp; Nbsp; Potencia De Salida Media; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp;·& Amp; Nbsp; Sistema De Comunicación

·& Amp; Nbsp; Bajo Consumo De Energía; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp & Nbsp Amp; Nbsp;· & Amp; Nbsp;Sistema De Radar

Especificaciones Eléctricas:

 

ParámetrosValor MínimoTípicoValor Máximo
Frecuencia100 GHz
115 GHz
Ganancia
10 Decibelios
P1db
+ 15 DBm
PHoy Es Sábado.
+ 16 DBm
PIn

15 DBm
Pérdida De Eco De Entrada
10 Decibelios
Pérdida De Eco De Salida
10 Decibelios
Tensión De Corriente Continua
+ 8vDC+ 12 VoltiosDC
Corriente De Alimentación De Corriente Continua
250 Ma
Temperatura De Especificación
+ 25 Grados Centígrados
Temperatura De Trabajo0 ° C
+ 50 Grados Centígrados

 

Especificaciones Mecánicas:

 

ProyectoNormas
EntradaWR - 08 Guía De Onda Ug - 387 / U - M Brida Anti - Atasco
SalidaWR - 08 Guía De Onda Ug - 387 / U - M Brida Anti - Atasco
PrejuiciosAguja De Soldadura
Material De La CarcasaAluminio
CompletadoDorado
Peso1,6 Onzas
Tamaño1,40 Pulgadas (largo) X 1,00 Pulgadas (ancho) X 0,75 Pulgadas (alto)
EsquemaBG - SF - 2 - A

 

Visión General De La Maquinaria: & Amp; Nbsp;(a Menos Que Se Especifique Lo Contrario, Todas Las Unidades De Tamaño Son Pulgadas [mm])

100 To 115 GHz S Band Power Amplifier Psat 16 dBm  RF Bidirectional RF Amplifier 0

 

Nota:

·& Amp; Nbsp; Todos Los Datos Proporcionados Se Recopilaron A Partir De Un Lote De Muestras. Los Datos Reales Pueden Variar De Una Unidad A Otra.

·& Amp; Nbsp; Todas Las Pruebas Se Realizaron A Una Temperatura De Carcasa De + 25 ° C.

·& Amp; Nbsp; Sage Millimeter, Sociedad Anónima, Se Reserva El Derecho De Cambiar La Información Proporcionada Sin Previo Aviso.

 

Atención:

·& Amp; Nbsp; Superar La Calificación Máxima Absoluta Mostrada Dañará El Equipo.

·& Amp; Nbsp; El Dispositivo Es Sensible A La Electricidad Estática. Siempre Siga Las Reglas De La Des Al Usar El Dispositivo.

·& Amp; Nbsp; La Temperatura De La Carcasa Del Equipo No Debe Exceder De + 50 ° C. Use Un Disipador De Calor O Ventilador Adecuado Si Es Necesario.


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Nanjing Shinewave Technology Co., Ltd..é criada no ano de 2008,e S uma empresa especializada na pesquisa e desenvolvimento, produção e vendas de RF microondas ativo, componentes passivos e subsistemas. Com base na equipe de pesquisa acadêmica da Universidade de Nanjing de Aeronáutica e Astronáutica, nossa empresa estabeleceu uma equipe inovadora de pesquisa e desenvolvimento com talentos de doutor e mestrado, e constantemente atrai talentos proeminentes na indústria e estudantes proeminentes de universidades famosas para expandir a equipe.

Nossa empresa tem cerca de 20 patentes de invenção autorizadas na antena reconfigurável ativa, passiva do comutador de fase do dispositivo, etc. Os campos de aplicação estão relacionados a contramedidas eletrônicas de radar, aeroespacial, navegação e outros campos militares. Ao mesmo tempo, também é amplamente utilizado em comunicação de microondas, comunicação móvel e outros produtos do mercado civil, cobrindo componentes e antenas de dispositivos de microondas RF, entre os quais, produtos ativos incluem amplificador de potência de microondas de estado sólido de alta potência, módulo transceptor de amplificador de baixo ruído, conversor de frequência para cima e para baixo, fonte de frequência, etc. Os produtos passivos incluem filtro de microondas, divisor de potência duplexador, acoplador, sintetizador de potência, etc. Os produtos de antena são baseados principalmente em várias antenas de chifre de alto ganho, que cobre VHF, UHF, L-banda, S-banda, C-banda, X-banda, Ku banda e assim por diante.

Nossa  empresa está localizada na bela capital antiga de seis dinastias,  em Nanjing Yuhuatai District Big Data Industrial Base. Para atender às necessidades especiais dos clientes e requisitos de índice mais elevados, além dos produtos padrão, também fornecemos aos clientes métodos de desenvolvimento de produtos personalizados, dedicados a fornecer aos clientes produtos e serviços rápidos e de alta qualidade.

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1.As nossas vantagens 

Contando com a equipe de pesquisa acadêmica de universidades famosas, a empresa estabeleceu uma equipe inovadora de pesquisa e desenvolvimento com doutorado e mestrado' s talentos de graduação, e continua a absorver excelentes talentos na indústria e estudantes proeminentes de universidades famosas para fortalecer a equipe. A empresa possui cerca de vinte patentes de invenção autorizadas em dispositivos de microondas, circuitos e antenas. O campo de aplicação envolve radar, contramedidas eletrônicas, aeroespacial e aviação. 

2.Sobre a Personalização 

Nós podemos personalizar de acordo com o cliente' s requisitos, basta dizer-nos a frequência, ganho, poder. 

3.Sobre o Tempo de Entrega

Os produtos personalizados são normalmente 4-6 semanas, se em estoque 1-2 semanas podem ser enviados. 

4.Como a qualidade é garantida 

1)Controle de qualidade: Testando rigorosamente matérias-primas e o processo de produção para atender aos padrões. 

2)Testes de desempenho: realização de testes ambientais e de funcionalidade para verificar a saída de potência e outras métricas-chave. 

3)Garantia e suporte: Fornecer um período de garantia e suporte técnico para resolver problemas durante o uso. 

4)Auditorias de fábrica: Realizando regularmente auditorias de qualidade internas e de terceiros. 

5.Método de entrega 

Se você tem seu próprio remetente de frete, nós podemos enviar para o seu remetente de frete designado, se não, nós podemos escolher a maneira mais conveniente de entrega, tais como DHL, Fedex, frete aéreo, frete marítimo. 

6.Método de pagamento 

L/C, D/A, D/P, T/T, Western union, Moneygram, Paypal, Alipay, Banco.


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Nanjing Shinewave Technology Co., Ltd. foi fundada em 2008, é um profissional envolvido no amplificador de potência de microondas RF, dispositivos ativos, dispositivos passivos e subsistemas pesquisa e desenvolvimento, produção e vendas da empresa.

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